գործի պաստառ

Արդյունաբերության նորություններ. ստեղծվել է SiC նոր գործարան

Արդյունաբերության նորություններ. ստեղծվել է SiC նոր գործարան

2024 թվականի սեպտեմբերի 13-ին Resonac-ը հայտարարեց նոր արտադրական շենքի կառուցման մասին SiC (սիլիցիումի կարբիդ) վաֆլի ուժային կիսահաղորդիչների համար իր Յամագատա գործարանում՝ Հիգաշին քաղաքում, Յամագատա պրեֆեկտուրա: Ավարտը սպասվում է 2025 թվականի երրորդ եռամսյակում։

8

Նոր օբյեկտը կգտնվի իր դուստր ձեռնարկության՝ Resonac Hard Disk-ի Յամագատա գործարանում և կունենա 5832 քառակուսի մետր շինության տարածք: Այն կարտադրի SiC վաֆլիներ (սուբստրատներ և էպիտաքսիա): 2023 թվականի հունիսին Resonac-ը հավաստագիր ստացավ էկոնոմիկայի, առևտրի և արդյունաբերության նախարարությունից՝ որպես Տնտեսական անվտանգության խթանման ակտով նախատեսված կարևոր նյութերի մատակարարման ապահովման պլանի մաս, մասնավորապես կիսահաղորդչային նյութերի (SiC վաֆլիներ): Էկոնոմիկայի, առևտրի և արդյունաբերության նախարարության կողմից հաստատված մատակարարման ապահովման պլանը պահանջում է 30,9 միլիարդ իենի ներդրում` ուժեղացնելու SiC վաֆլի արտադրության հզորությունը Տոչիգի պրեֆեկտուրայի Օյամա քաղաքի բազաներում; Հիկոնե Սիթի, Շիգա պրեֆեկտուրա; Հիգաշին քաղաք, Յամագատա պրեֆեկտուրա; և Չիբա պրեֆեկտուրայի Իչիհարա քաղաքը՝ մինչև 10,3 մլրդ իեն ​​սուբսիդիաներով։

Նախատեսվում է սկսել SiC վաֆլիներ (ենթաշերտեր) մատակարարել Oyama City-ին, Hikone City-ին և Higashine City-ին 2027 թվականի ապրիլին՝ տարեկան 117,000 կտոր (6 դյույմ) արտադրական հզորությամբ: SiC էպիտաքսիալ վաֆլիների մատակարարումը Ichihara City և Higashine City նախատեսվում է սկսել 2027 թվականի մայիսին, տարեկան 288,000 կտոր ակնկալվող հզորությամբ (անփոփոխ):

2024 թվականի սեպտեմբերի 12-ին ընկերությունը հիմնարկեքի արարողություն անցկացրեց Յամագատա գործարանում նախատեսված շինհրապարակում։


Հրապարակման ժամանակը՝ 16.09.2024