CLRD125-ը բարձր արդյունավետությամբ, բազմաֆունկցիոնալ վերափոխման չիպ է, որը ինտեգրում է երկակի միացք ունեցող 2:1 մուլտիպլեքսոր և 1:2 անջատիչ/օդափոխիչ-արտահոսքային բուֆերային ֆունկցիա։ Այս սարքը հատուկ նախագծված է բարձր արագությամբ տվյալների փոխանցման կիրառությունների համար, աջակցում է մինչև 12.5 Գբ/վ տվյալների փոխանցման արագություն և հարմար է տարբեր բարձր արագությամբ ինտերֆեյսային արձանագրությունների համար, ինչպիսիք են 10GE, 10G-KR (802.3ap), Fibre Channel, PCIe, InfiniBand և SATA3/SAS2:
Չիպն ունի առաջադեմ անընդհատ ժամանակի գծային հավասարեցիչ (CTLE), որը արդյունավետորեն փոխհատուցում է ազդանշանի կորուստը երկար հեռավորությունների վրա՝ մինչև 35 դյույմ FR-4 տպագիր միացման տախտակի կամ 8 մետր AWG-24 մալուխի վրա, 12.5 Գբ/վ փոխանցման արագությամբ, զգալիորեն բարելավելով ազդանշանի ամբողջականությունը: Փոխանցիչն օգտագործում է ծրագրավորվող դիզայն, որը թույլ է տալիս ճկուն կերպով կարգավորել ելքային տատանումը 600 mVp-p-ից մինչև 1300 mVp-p միջակայքում և աջակցում է մինչև 12dB շեշտադրման նվազեցում՝ ալիքի կորուստը արդյունավետորեն հաղթահարելու համար:
CLRD125-ի ճկուն կոնֆիգուրացիայի հնարավորությունները հնարավորություն են տալիս անխափան կերպով աջակցել բազմաթիվ փոխանցման արձանագրություններին, այդ թվում՝ PCIe, SAS/SATA և 10G-KR: Մասնավորապես 10G-KR և PCIe Gen3 ռեժիմներում, այս չիպը կարող է թափանցիկ կերպով կառավարել կապի վերապատրաստման արձանագրությունները՝ ապահովելով համակարգային մակարդակի փոխգործունակություն՝ միաժամանակ նվազագույնի հասցնելով լատենտությունը: Այս ինտելեկտուալ արձանագրության հարմարվողականությունը CLRD125-ը դարձնում է բարձր արագությամբ ազդանշանների փոխանցման համակարգերի հիմնական բաղադրիչ՝ նախագծող ինժեներներին տրամադրելով հզոր գործիք համակարգի աշխատանքը օպտիմալացնելու համար:
**Արտադրանքի առանձնահատկությունները**
1. **12.5 Գբ/վրկ երկալիքային 2:1 մուլտիպլեքսոր, 1:2 անջատիչ կամ օդափոխիչի ելք**
2. **Ընդհանուր էներգիայի սպառումը՝ ընդամենը 350 մՎտ (տիպիկ)**
3. **Սիգնալի կարգավորման առաջադեմ հնարավորություններ**
- Աջակցում է մինչև 30 դԲ ընդունման հավասարեցման՝ 12.5 Գբ/վրկ գծային արագությամբ (6.25 ԳՀց հաճախականությամբ)
- Մինչև -12dB փոխանցման նվազեցման հնարավորություն
- Փոխանցման ելքային լարման կառավարում՝ 600մՎ-ից մինչև 1300մՎ
4. **Կազմաձևվում է Chip Select-ի, EEPROM-ի կամ SMBus Interface-ի միջոցով**
5. **Արդյունաբերական աշխատանքային ջերմաստիճանի միջակայք՝ –40°C-ից մինչև +85°C**
**Կիրառման ոլորտներ՝**
- 10GE
- 10G-KR
- PCIe 1/2/3 սերունդ
- SAS2/SATA3 (մինչև 6 Գբ/վ)
- ԽԱՈՒԻ
- RXAUI
Հրապարակման ժամանակը. Սեպտեմբերի 30-2024